Холдинг "Росэлектроника" приступил к выпуску нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов для создания сетей связи 5G и нового поколения систем радиолокации. Опытные образцы приборов прошли испытания в составе квадрокоптеров, радиостанций и аппаратуры локации аэропортов и в настоящее время поставляются более 20 предприятиям для тестовой эксплуатации.
Новые транзисторы обладают высоким значением удельной выходной мощности, широкой полосой согласования, высоким значением пробивных напряжений "сток-исток". Выходная мощность приборов – от 5 до 50 Вт, коэффициент усиления по мощности – от 9 до 13 дБ, КПД стока – не менее 45% на тестовой частоте 4 ГГц и 2,9 ГГц. Транзисторы полностью взаимозаменяемы с импортными аналогами, что позволяет не проводить дополнительных настроек в составе аппаратуры.
Разработчиком изделий выступило воронежское АО "НИИ электронной техники" (в составе холдинга входит в Концерн "Созвездие"). Предприятие в настоящее время работает над расширением линейки GaN-транзисторов.
Гетероэпитаксиальные структуры GaN и твердых растворов на его основе находят все более широкое применение в области радио- и силовой электроники. Развитие производства мощных транзисторов, созданных на основе GaN, как ожидается, приведет к значительному уменьшению размеров блоков питания, адаптеров, зарядных устройств. В частности, позволит принципиально сократить массу и повысить эффективность электромобилей и гибридов. СВЧ/GaN-транзисторы в сетях связи позволят увеличить объемы передаваемого трафика за счет большего диапазона частот.
Комментариев нет:
Отправить комментарий